Cada memoria es procesada en tres diversas partes del cerebro

publicado el 05 de febrero de 2006 en «Milenio Diario»
columna: «se descubrió que...»

 

Investigadores de la Universidad de California en Irving (UCI) han descubierto que una sola y breve memoria necesita ser procesada en diferentes y separadas áreas del cerebro -una idea que los científicos sólo habían sospechado. Los resultados se publicaron esta semana en la edición en línea de los Proceedings of the Nacional Academy of Sciences.

Emily L. Malin y James L. McGaugh, del Center for Neurobiology of Learning and Memory perteneciente a la UCI, demostraron que mientras una parte del cerebro, el hipocampo, se aplica a procesar la memoria por el contexto, el cíngulo anterior de la corteza es responsable de retener memorias de estímulos desagradables. Una tercer área, la amígdala, localizada en el lóbulo temporal, consolida más ampliamente las memorias e influye en el almacenamiento lo mismo del contexto que de la información desagradable. "Estos resultados son muy intrigantes", dijo McGaugh, miembro de la Nacional Academy of Sciences. "Es ésta la primera vez que hemos encontrado esta fragmentación dentro del cerebro de lo que podríamos pensar como una experiencia singular. Por ejemplo, diversos aspectos de una experiencia, tal como un accidente de auto, serían procesados por diferentes partes del cerebro. La experiencia es fragmentada en nuestro cerebro, aun cuando pensemos que se trata de un solo hecho".

A eso se debe que distintos infartos cerebrales puedan afectar distintos sistemas de memoria, añade Thomas Carew, del Departamento de Neurobiología y Conducta de la UCI. "El presente estudio es una magnífica demostración de cómo diferentes componentes de nuestros terrenos neurales pueden ser asignados para procesar diferentes aspectos de la memoria", dice. "Entre más conocemos acerca de la especialización de las memorias, más podemos entender cómo y porqué el procesamiento de la memoria puede descarrilarse"...

Artículo y enlaces (links) relacionados.

Transistores de un solo electrón

Los más diminutos transistores, apelmazados por decenas de millares en nuestras computadoras, puede reducirse al máximo: cuando un solo electrón determine si el transistor está encendido o apagado.

De estos transistores, descritos en Applied Physics Letters del 30 de enero, ya existen modelos experimentales fabricados en la NTT Corporation de Japón. Se basan en el principio de que conforme los instrumentos se encogen hasta el rango de los nanómetros (la millonésima parte de un milímetro), la cantidad de energía necesaria para mover un solo electrón se incrementa notablemente. Esto hace posible controlar el movimiento de electrones individuales: a más alto voltaje, el transistor se enciende y permite el paso de electrón por electrón, en vez de los millares que fluyen por un dispositivo convencional.

Este novedoso transistor es llamado "dispositivo de tuneleo por electrón único" (SET, por sus siglas en inglés).

Mientras el mundo avanza a estos saltos hasta el límite mismo de la materia, nuestros diputados no encuentran nada mejor qué hacer que revisar, una y otra vez, la posibilidad de que los hijos de Marta Sahagún hayan usado sus influencias para hacer negocios. Mal si lo hicieron. Pero esa posibilidad de que sean como tantos mexicanos en todos los partidos, en todos, tiene como energúmenos a nuestros legisladores. Cuando nuevas computadoras y otros instrumentos hagan maravillas hoy inconcebibles... nuestros legisladores irán de compras a Houston para adquirirlos, presumirlos a sus colegas, e impedir con alguna medida nacionalista su fabricación en México. Y una legislación que nos permita estar a la cabeza de estas investigaciones punta, que exigen inmensos capitales, no tienen tiempo de pensarla, atareados como están en descubrir si un hijastro del Presidente compró barata una casa y la vendió cara. Tarea Histórica.

A. Fujiwara, H. Inokawa, K. Yamazaki, H. Namatsu, Y. Takahashi, N.M. Zimmerman, and S.B. Martin. 2006. "Single electron tunneling transistor with tunable barriers using silicon nanowire MOSFET". Applied Physics Letters. Enero 30. Contacto: Laura Ost.

 

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